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電流傳感器永磁體影響
電流傳感器永磁體影響：
如果長(cháng)久磁鐵靠近電流傳感器IC,磁鐵導致的雜散場(chǎng)也會(huì )影響IC性能。一般情況下，來(lái)自磁鐵的雜散場(chǎng)可能隨磁體的不同而變化極大。它取決于磁鐵尺寸、材料、磁化方向以及其他很多因素。如果可以調整電流傳感器，使霍爾板垂直于磁體，則可以將這些雜散場(chǎng)的影響降至*小。
具有臨近永磁體*優(yōu)方向的ACS780.
在LR封裝中，載流軌跡在器件下面擴展實(shí)際改變了電流通過(guò)IP總線(xiàn)的路徑。這可能導致IP總線(xiàn)與IC的耦合因數發(fā)生變化，并顯著(zhù)降低器件性能。
使用ANSYS Maxwell電磁套件可以模擬電流密度和電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)。圖9提供兩種不同模擬的結果。**種情況是向上引至IP總線(xiàn)的電流軌跡在所需點(diǎn)終止。**情況是電流軌跡向IP總線(xiàn)上方擴展過(guò)遠。兩個(gè)模擬中的紅色箭頭表示高電流密度的區域。在沒(méi)有過(guò)量重疊的模擬中（紅**域），電流密度與具有過(guò)量重疊的模擬差距巨大。還可以看出，H1場(chǎng)比沒(méi)有過(guò)多重疊時(shí)更大。這一點(diǎn)用藍色暗影表示。
具有不同電流軌跡和IP總線(xiàn)重疊的ACS780引線(xiàn)框模擬。
如果重疊超過(guò)推薦量，也會(huì )導致其他問(wèn)題，例如電流接近角范圍顯著(zhù)縮小。如果電流軌跡在IP總線(xiàn)上擴展的過(guò)大，則會(huì )形成對接近角的依賴(lài)，即接近角直接影響器件的耦合因數。避免這種情況的*佳方式是限制電流軌跡的重疊。
ACS780 PCB布局參考圖。進(jìn)行必要的調整，滿(mǎn)足應用工藝要求和PCB布局公差和紅色的圈選關(guān)鍵尺寸。
Allegro MicroSystems電流傳感器IC有很多優(yōu)勢。這些傳感器IC的磁滯幾乎為零，而且功耗非常低。與無(wú)磁芯相伴的一個(gè)缺點(diǎn)是容易受到雜散磁場(chǎng)的影響。但是，很多IC都能夠抑制共模磁場(chǎng)。
兩個(gè)霍爾板的共模場(chǎng)相等時(shí)，CMR技術(shù)效果*好。我們探討了若干顯著(zhù)降低兩個(gè)霍爾板共模場(chǎng)差值的技術(shù)，即如何進(jìn)行外部電流路徑布線(xiàn)與其他優(yōu)化布局技術(shù)。針對電流路徑不能以*有利的方向布線(xiàn)的情況，我們還介紹了誤差估算。此外，還探討了一些針對LR封裝的布局技術(shù)，這是因為必須考慮LR的一些特性才能獲得*優(yōu)性能。
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